发布时间:2026年3月9日 | 芯洞科技行情部
2026年开年,全球存储芯片市场迎来新一轮涨价风暴。据TrendForce集邦咨询最新调研,一季度DRAM合约价涨幅从预期的55%-60%上调至90%-95%,NAND Flash涨幅也从33%-38%上调至55%-60%。美光、三星、SK海力士等原厂已确认4月起正式提价。
1. AI需求爆发是核心推手
AI数据中心建设持续升温,企业级SSD需求激增。预估2026年Q1企业级SSD价格上涨20%-30%,消费级产品传导涨幅10%-20%。手机端存储涨幅可能高达25%-35%。
2. 产能切换导致供应紧张
存储晶圆厂将部分产能从通用DRAM切换至HBM(高带宽内存),导致通用存储芯片供不应求。目前存储晶圆厂已陷入结构性缺货状态。
3. 上游原材料与制造成本上升
贵金属价格上涨叠加晶圆代工涨价,存储芯片成本端持续承压。
| 品类 | 2026年2月涨幅 | 预期Q1涨幅 | 主要供应商 |
|---|---|---|---|
| DRAM合约价 | 0%-8.77% | 90%-95% | 三星、海力士、美光 |
| NAND Flash | 0%-11.11% | 55%-60% | 三星、海力士、美光、西部数据 |
| 企业级SSD | 上涨中 | 20%-30% | 三星、Intel、WD |
| 消费级SSD | 上涨中 | 10%-20% | 多家模组厂 |
数据来源:TrendForce、东海研究
短期影响(Q1-Q2):
采购应对策略:
1. 提前锁定库存
2. 关注替代方案
3. 动态调整BOM成本
3月关键事件:
中长期判断:
本轮涨价周期有望延续至2026年中。AI需求持续高增的背景下,存储行业正从"供过于求"转向"供不应求"。建议采购方做好6-12个月的中长期备货规划。
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