【行情快讯】据最新市场消息,美光、三星电子、SK海力士等NAND原厂已正式通知客户,将从2025年4月起全面提高NAND闪存产品报价。这是继2025年Q1存储芯片涨价后的又一轮集中调价,标志着存储市场正式进入"量价齐升"的新周期。
本轮涨价已从存储芯片扩散至整个半导体产业链:
| 品类 | 代表厂商 | 涨幅 | 生效时间 |
|---|---|---|---|
| NAND Flash | 美光、三星、SK海力士 | 10%-30% | 2025年4月 |
| DRAM | 三大原厂 | 13%-18% | Q2合约价 |
| MCU | 中微半导、国科微 | 15%-80% | 已生效 |
| MOS管 | 捷捷微电 | 10%-20% | 2025年2月 |
| 模拟芯片 | 士兰微、思特威 | 10%-20% | 陆续生效 |
数据来源:TrendForce、各原厂通知函、芯八哥整理
1. AI算力需求爆发
英伟达CEO黄仁勋近日明确表示,DeepSeek等AI模型的普及只会增加对计算基础设施的需求,而非减少。单台AI服务器对DRAM的需求是传统服务器的5-10倍,对NAND的需求是5-6倍。
2. 产能向HBM倾斜
三大原厂(三星、SK海力士、美光)2025年HBM产能已全部售罄,2026年产能也被预订一空。HBM每GB消耗晶圆容量是DDR5的3-4倍,导致传统DRAM/NAND产能被挤压。
3. 库存处于历史低位
据IDC数据,全球DRAM库存仅3.3周,NAND库存低于30万吨,处于历史低位。
根据创芯指数最新数据,以下型号搜索量与价格双涨:
短期策略(1-3个月):
中长期策略(3-6个月):
据TrendForce预测,2025年Q3大部分芯片品类交期将延续上升趋势,存储价格上升明显。本轮涨价不是短期周期波动,而是AI算力刚需+产能结构性转移驱动的长期趋势。
建议采购方做好6-12个月的涨价应对准备,合理规划库存周期,避免因缺货或价格暴涨影响生产计划。
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